本ポジション分野は次世代情報通信分野および新ICTビジネス分野を開拓するデバイス、サブシステムの研究開発です。
NTT研究所では、石英系導波路デバイスの設計・作製・評価技術をコアコンピタンスとして、これまで光スイッチや合分波フィルタ等の様々な通信用デバイスを実用化しています。
NTTの推進する光電融合デバイス(PEC)による省電力大容量接続において、これをプラットフォームとして支える基板技術に石英系の導波路デバイス技術を展開し、その低誘電率性を活かした高周波配線との融合の検討を進めており、同分野の研究開発を第1線で推進できる人材を希望する。
NTT研究所で新たな基盤技術として立ち上げる光電融合基板の実現において鍵となる、光デバイスを含む基板の仕様検討、回路設計、試作、評価等を、特に高周波配線技術の観点を中心として行って頂きます。開発した光デバイス・基板技術は、AIサーバのスケールアップ技術に資する光電融合デバイスの基盤技術としての適用を想定し、グループ会社等にて量産化を行います。
新分野として立ち上げる光電融合デバイス向けの基板技術に関する仕様検討、回路設計、試作、評価等を高周波技術の観点を軸に行って頂きます。業務を通じて、高周波技術に限定されない光デバイス/光電融合(PEC)デバイスに関する広範な知識、経験を得られます。また、仕様検討を通じて、光通信・光通信用デバイス等に関する知識も獲得できます。
通信用光デバイスに関するスペシャリストとの共同作業を通じて、研究開発スペシャリストとして活躍できるほか、若手社員との共同作業やプロダクト化経験を通じて、研究開発マネージャへの道も開かれています。
ガラス系導波路デバイスの研究者が多く所属するチームです。各種シミュレーション環境、プロトタイプ作製装置、測定評価装置を使用できます。研究所内の光半導体関連の研究者、デバイス製造設備を保有するグループ会社とも連携して研究開発を進めます。
電磁気、化学、機械、計測等の工学分野のいずれかないし複数の基礎知識。
特に、高周波配線設計に応用可能なシミュレーション・設計（・製造）等の実務経験。
特許、論文の執筆経験。
高周波配線設計以外の電子・光デバイスに関する設計・製造等の実務経験
TOEIC 730点以上
例：800～1,200万円
賞与：年2回（6月・12月）
初年度の具体額は選考を通じて決定し、入社後は業績・評価によって変動します。その他、35歳まで住宅補助費（年間50～60万円）を支給します。
ライフスタイルに合わせて福利厚生メニューを選択可能なカフェテリアプランを採用しています。宿泊施設利用、アミューズメント施設利用をはじめ、健康増進（人間ドックなど）や財産形成（社員持株会、財形貯蓄、企業型確定拠出年金など）、住宅関係（住宅補助費、住宅ローン利子補給など）、育児・介護などの多彩なジャンルにわたりメニューを用意しています。
博士号取得支援制度（3年間で上限513万円支給）、海外研修（大学・研究機関派遣）、NTTグループ企業との交流、国内/海外MOT研修、自己啓発支援制度（専門知識・マネジメント・語学等）等
NTT厚木研究開発センタ
リモートワーク実施率 0～50%
実験・評価を中心の業務のため、出社率が高めのグループです。
原則としてスーパーフレックスタイム制または裁量労働制
裁量研究開発手当、住宅補助費、子育て・介護手当など
正規雇用労働者の経験者採用比率（新卒を含む全採用者数に対する比率）
・2023年度：46%
・2024年度：45%
・2025年度：37%
※労働施策総合推進法に基づく中途採用比率の公表
公表日：2026年4月1日
3年以上の職務経歴（※）をお持ちの方は、「応募」ボタンから情報をお送りください。
（※）企業、大学、研究機関などにおける研究職またはエンジニア職が対象です。任期付き（有期雇用）の教員・研究員、学振PDも含みます。学振DC、在学中のRA/TA、その他在学中の奨学金的な性格を有する研究員は含まれません。
・これまでのご研究内容（または携わってこられた開発案件の概要）
・これまでの研究開発歴（論文、特許、学会・イベントでの発表などリストを含む）
・弊社に入社後、担当したい研究開発内容など
・ご本人履歴書
代表的な論文等をお送りいただく場合も、郵送ではなく応募ページからご登録お願いいたします。上記資料をもとに書類審査させていただきます。書類審査を通過された方には、14週間以内に次の選考に向けたご連絡をさせていただきます。
尚、お送りいただいた応募書類はご返却いたしませんのであらかじめご了承ください。また、応募書類は所定の期間経過後に適切な方法で廃棄し、以後弊社にて個人情報を保管、取り扱うことはございません。
